[发明专利]具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201210295231.0 | 申请日: | 2012-08-20 |
公开(公告)号: | CN103035769A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 王立康 | 申请(专利权)人: | 王立康 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为;袁颖华 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有选择性射极结构的太阳能电池及其制造方法,是由单晶或多晶且具有电性掺杂的硅基板制造而成。首先在硅基板的受光侧表面形成数条沟槽,经过一次电性掺杂元素的掺杂后,再进行选择性的蚀刻,使非沟槽区域形成具有较低掺杂的浓度,而沟槽区域维持原有的较高掺杂浓度,以致形成选择性射极的结构。 | ||
搜索关键词: | 具有 选择性 结构 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有选择性射极结构的太阳能电池,是由单晶或多晶且具有电性掺杂的硅基板制造而成,其特征在于:该硅基板受光侧具有数条沟槽,且各沟槽的深度在0.5μm至100μm之间,并且该硅基板受光侧表面含有第一表面区域与第二表面区域,其皆含有异于该硅基板电性掺杂之外的电性掺杂,其中该第一表面区域包括该数条沟槽区的表面含有第一掺杂层,而该第二表面区域包括该硅基板受光侧的非沟槽区的表面含有第二掺杂层;上述该硅基板受光侧表面的第一掺杂层与第二掺杂层,是于形成有数条沟槽的硅基板受光侧表面经过高浓度的电性掺杂扩散后,经由涂布一阻挡层于该些沟槽区,并以化学湿式蚀刻蚀去非沟槽区表面的一部分厚度,使该区域形成具有较低掺杂浓度的第二掺杂层,而沟槽区表面则维持原始高浓度的电性掺杂而形成该第一掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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