[发明专利]离子注入设备有效
申请号: | 201210295451.3 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102956428A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 内藤胜男 | 申请(专利权)人: | 日新离子机器株式会社 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 关兆辉;谢丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种离子注入设备,包括偏转电极和遮蔽构件。离子束具有带状形状。偏转电极基于由射束电流测量装置测量的结果,使离子束的至少一部分沿长边方向朝向短边方向偏转。遮蔽构件部分地遮蔽由偏转电极偏转的离子束。偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组。电极组布置成面对平板电极,以将离子束置于平板电极与电极组之间。平板电极电接地,且多个电极彼此电独立。多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以进行电位设置。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 设备 | ||
【主权项】:
一种离子注入设备,所述离子注入设备从离子源发射离子束,并且在所述离子注入设备中对布置在加工腔室内的衬底执行离子注入,其中,所述离子束具有正电荷以及有着长边方向和短边方向的矩形截面或长椭圆截面,所述离子注入设备包括:射束电流测量装置,所述射束电流测量装置测量所述离子束沿所述长边方向的射束电流密度分布;偏转电极,所述偏转电极基于由所述射束电流测量装置测量的结果,使所述离子束的至少一部分沿所述长边方向朝向所述短边方向偏转;和遮蔽构件,所述遮蔽构件部分地遮蔽由所述偏转电极偏转的所述离子束,其中,所述偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组,所述电极组布置成面对所述平板电极,以便将所述离子束置于所述平板电极与所述电极组之间,所述平板电极电接地,所述多个电极彼此电独立,且所述多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以执行电位设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日新离子机器株式会社,未经日新离子机器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210295451.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。