[发明专利]用于集成电路中选定晶体管性能提升的注入

摘要

本发明涉及一种用于集成电路中选定晶体管性能提升的注入。第一注入（70）被执行到基底来形成阱（12），多个晶体管（14、16、18、20、22、24、26）将会形成在其中。形成的多个晶体管的第一子组（20、26）的每个晶体管具有满足预定宽度限制的宽度，第二子组（14、16、18、22、24）的每个晶体管具有不满足限制的宽度。第二注入（72）被执行在阱中第一子组晶体管将会形成的位置，而不是阱中第二子组的晶体管将会形成的位置。晶体管被形成，其中第一子组的每个晶体管的沟道区域形成在基底中接收第二注入的部分，第二子组的每个晶体管的沟道区域形成在基底中不接收第二注入的部分。

主权项

一种用于形成半导体结构的方法，该方法包括：执行第一注入到半导体基底中以形成阱，在所述阱中将形成相同导电类型的多个晶体管，其中形成的多个晶体管的第一子组中的每个晶体管具有满足预定宽度限制的晶体管宽度，形成的多个晶体管的第二子组的每个晶体管具有不满足预定宽度限制的晶体管宽度，并且其中第一子组和第二子组相互不包含；执行第二注入到半导体基底中，从而第二注入进入半导体基底的在阱中多个晶体管的第一子组晶体管将要形成的位置，而不进入半导体基底的在阱中多个晶体管的第二子组晶体管将要形成的位置；以及在所述阱中形成多个晶体管，其中多个晶体管的第一子组的每个晶体管的沟道区域形成在半导体基底的接收第二注入的部分，以及多个晶体管的第二子组的每个晶体管的沟道区域形成在半导体基底的不接收第二注入的部分。