[发明专利]一种晶片快速热处理机台有效
| 申请号： | 201210295721.0 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103594392A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张二雄;胡德明;林伟旺;徐家俊;陈元满 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片快速热处理机台，用以实现不同类型的晶片经相同快速热处理工艺后，晶片的表面实际温度准确升高到晶片快速热处理机台预设的晶片的表面温度值。所述晶片快速热处理机台，包括：机台主体、反应室、晶片支撑架、温度探测器，所述晶片快速热处理机台还包括晶片样片承载装置以及晶片样片；所述晶片样片承载装置，设置于所述反应室内，用于承载所述晶片样片；所述温度探测器，用于探测所述晶片样片的表面温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 快速 热处理 机台 | ||
【主权项】：
一种晶片快速热处理机台，包括：机台主体、反应室、晶片支撑架、温度探测器，其特征在于，所述晶片快速热处理机台还包括晶片样片承载装置以及晶片样片；所述晶片样片承载装置，设置于所述反应室内，用于承载所述晶片样片；所述温度探测器，用于探测所述晶片样片的表面温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
