[发明专利]刻蚀高深度光波导的制备工艺

摘要

一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，包括以下步骤：1）用沉积法，在衬底上制备掺杂的芯层，形成平板光波导；2）用光刻工艺，在步骤1）制取的平板光波导上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模；3）用溅射工艺，在步骤2）获取的样品表面制备金属掩模；4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模及金属掩模；5）用光刻工艺，在步骤4）制作的金属掩模层上，再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层，6）使用RIE设备，通入SF4、CHF3、O2、He气体，制作光波导芯层；7）制作上包层。与标准工艺相比，这种方法可利用普通反应离子刻蚀设备制作高深度光波导，且制作的光波导具有垂直的侧壁，侧壁角度大于87度，小于93度。

主权项

一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1），用沉积法，在作为光波导结构中的衬底层（11）的二氧化硅隔离层上制备掺杂III‑V族元素或稀土元素的二氧化硅层，并以此作为光波导结构中的芯层，形成平板光波导（12）；步骤2）通过光刻工艺，旋涂光刻胶，一次掩模版曝光后进行二次空曝，在步骤1）制取的平板光波导（12）上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模（13b）；步骤3）通过溅射工艺，在与掩模版图形相反的光刻胶掩模（13b）表面上形成金属掩模（14b），同时在平板光波导（12）表面上形成与掩模版图形相同的金属掩模层（14a）；步骤4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模（13b）及金属掩模（14b）；步骤5）通过光刻工艺，在步骤4）制作的金属掩模层（14a）上，再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层（13a），且金属掩模层（14a）的厚度与光刻胶层（13a）的厚度比例为1：2~4；步骤6）使用反应离子刻蚀设备，通入SF4、CHF3、O2、He气体，SF4、CHF3、O2及He的通入流量比例为3~5：4~7：1：20~35,在1500mTor气压下进行刻蚀，在平板光波导（12）上制作光波导芯层（12a）；步骤7）在光波导芯层（12a）的周围制作上包层（15）。