[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一导电类型半导体基体；第一导电类型台柱区域；第二导电类型台柱区域；元件区域和终止区域，提供在第一和第二导电类型台柱区域中，在该元件区域中形成晶体管，而在该终止区域中不形成晶体管；本体区域；栅绝缘膜；栅极电极；源区域；本体电位提取区域，其中空隙形成在该终止区域的第二导电类型台柱区域中。

主权项

一种半导体装置，包括：第一导电类型半导体基体；第一导电类型台柱区域，包括整体形成来覆盖所述第一导电类型半导体基体整个表面的第一导电类型半导体区域；第二导电类型台柱区域，包括第二导电类型半导体区域，所述第二导电类型半导体区域周期地设置在大致平行于所述第一导电类型半导体基体的主表面的方向上，并且在与所述第一导电类型台柱区域大致相同的方向上设置为条形图案；元件区域和终止区域，提供在所述第一和第二导电类型台柱区域中，在所述元件区域中形成晶体管，而在所述终止区域中不形成晶体管；所述元件区域中的晶体管的本体区域，形成在所述第一导电类型台柱区域的表面上并且与所述第二导电类型台柱区域接触，所述本体区域包括第二导电类型半导体区域；栅绝缘膜，形成在所述第一导电类型台柱区域和所述本体区域上；栅极电极，以横跨所述本体区域的部分和所述第一导电类型台柱区域的表面的部分的方式形成在所述栅绝缘膜上；源区域，在所述栅极电极的端部形成在所述本体区域表面的部分上，所述源区域包括第一导电类型半导体区域；以及本体电位提取区域，形成在所述本体区域的表面上，所述本体电位提取区域包括第二导电类型杂质扩散层，其中空隙形成在所述终止区域的所述第二导电类型台柱区域中。