[发明专利]绝缘金属膜的镀膜方法有效
| 申请号： | 201210296707.2 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102808151A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 潘晓勇;姚国红;江平;刘勇;李双月;蒲春华 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/20 | 分类号： | C23C14/20;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及绝缘金属膜的镀膜方法。将需要镀膜的基材和金属镀膜材料放置到真空镀膜设备内，在真空镀膜设备内通入惰性气体，金属镀膜材料在惰性气体或电阻丝加热后熔融蒸发的作用下产生出金属原子或金属离子，所述的金属原子或金属离子沉积到基材表面形成绝缘且有金属光泽的金属膜，所述金属膜的厚度为纳米数量级。本发明的镀膜方法镀膜的基材表面的电阻率能够达到≥109Ω.cm，符合绝缘要求，经网络分析仪测试，基材表面对无线信号没有屏蔽影响，并且比传统镀膜工艺成本更低，膜层更轻薄，也更环保。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 金属膜 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
绝缘金属膜的镀膜方法，其特征包括：将需要镀膜的基材和金属镀膜材料放置到真空镀膜设备内，在真空镀膜设备内通入惰性气体，金属镀膜材料在惰性气体或电阻丝加热后熔融蒸发的作用下产生出金属原子或金属离子，所述的金属原子或金属离子沉积到基材表面形成绝缘且有金属光泽的金属膜，所述金属膜的厚度为纳米数量级。
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