[发明专利]掺杂失效分析方法

摘要

发明公开了一种掺杂失效的分析方法，包括步骤：提供良品硅片；对良品硅片和待测样品硅片进行处理直至露出衬底表面；将良品硅片和待测样品硅片放置在底座上；在良品硅片和待测样品硅片上选定测试图形；设定进行SRP的条件；分别对良品硅片和待测样品硅片上的测试图形进行SRP并得到电阻率或载流子浓度的数据；对良品硅片和所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据进行比较，判断待测样品硅片的掺杂是否失效，估算待测样品硅片的掺杂剂量失效大小。本发明能准确快速验证掺杂相关的失效，以及确认掺杂杂质的差异程度，能大大节省芯片失效分析的时间和确保失效分析的准确性，为明确工艺原因及提升相关产品的良率发挥重大作用。

主权项

一种掺杂失效的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一掺杂符合要求的良品硅片，该良品硅片用于对待测样品硅片进行比较分析；步骤二、对所述良品硅片和所述待测样品硅片进行处理，该处理将所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面上的膜层结构都去除，直至露出所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面；步骤三、将处理过的所述良品硅片和所述待测样品硅片分别放置在一底座上；步骤四、分别在所述良品硅片和所述待测样品硅片上选定一测试图形，所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形的尺寸相同；步骤五、设定进行扩展电阻测试的测试条件；步骤六、按照所设定的测试条件，分别对所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形进行扩展电阻测试，测试后分别得到所述良品硅片的电阻率或载流子浓度的数据、以及所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据；步骤七、对所述良品硅片和所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的数据进行比较，当所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度为所述良品硅片电阻率或载流子浓度的95%～105%时，所述待测样品硅片的掺杂有效；当所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度为所述良品硅片电阻率或载流子浓度的95%～105%的范围之外时，所述待测样品硅片的掺杂失效；根据所述良品硅片和所述待测样品硅片的电阻率或载流子浓度的差值来估算所述待测样品硅片的掺杂剂量失效大小。