[发明专利]一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用无效
| 申请号： | 201210297193.2 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103631086A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 余永林;赵家霖;唐怡超;赵航 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F9/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王超 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 发明公开了一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用，该方法包括：首先制作压印模版，并对压印模版和压印基片进行固定；然后将压印模版与压印基片对准并贴合，将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上；最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜，刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。本发明能解决纳米压印方法用于集成光电子器件制作中的对准问题，大大提高纳米压印微纳图形的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 集成 光电子 器件 图形 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法，其特征在于包括：首先制作压印模版，并对压印模版和压印基片进行固定；然后将压印模版与压印基片对准并贴合，将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上；最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜，刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。
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