[发明专利]一种用于超级结制备的深沟槽填充工艺方法

摘要

本发明公开了一种用于超级结制备的深沟槽填充工艺方法，针对深沟槽刻蚀加P柱填充方式制备具有超级结功率器件的工艺，通过改善超级结外延填充工艺流程，开始用外延填充沟槽，然后再利用光刻胶将终端沟槽以外的区域用光刻胶完全覆盖，此时用干法刻蚀工艺将该终端沟槽刻开，最后用外延工艺完全填充即可。利用该改善工艺，可以去除芯片终端转角处沟槽填充产生的缝隙或者空洞，从而改善器件的击穿电压及漏电等。

主权项

一种用于超级结制备的深沟槽填充工艺方法，其特征在于，包括下列工艺步骤：步骤1，在超级结工艺制备过程中，利用光刻及干法刻蚀工艺在外延硅片上形成一定深度的沟槽，沟槽深度由器件的电特性来决定；步骤2，利用外延填充工艺在沟槽内填充单晶硅，由于晶向差异在终端沟槽区域内会有空洞或者缝隙出现；步骤3，通过一层光罩定义出除终端沟槽之外的区域，并将该区域用光刻胶所覆盖；步骤4，利用干法刻蚀将终端沟槽进行刻蚀，一直刻蚀至沟槽内的空洞或者缝隙完全被打开为止；步骤5，将步骤4中的光刻胶去除；步骤6，再次利用外延填充工艺，将终端沟槽完全填充。