[发明专利]一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件有效
| 申请号： | 201210298122.4 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102810553A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;张玲;甘平;周喜川;周建林;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底表面的N+漏区；本发明在常规的槽型场氧器件基础上，采用埋于整个衬底表面的N+漏区，器件开态时，载流子直接通过漏区N+和源区N+间的N-漂移区运动，较常规槽型场氧结构大大降低了载流子的漂移距离，从而有效降低器件在开态时候的导通电阻。该结构同样适用于基于SOI技术的功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极低导 通电 槽型场氧 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件，包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧，其特征在于：所述有源顶层硅包括纵向沟道、N‑漂移区、P型硅区，以及埋于整个衬底P型硅层表面的N+漏区，所述纵向沟道设置于N‑漂移区上方，所述N‑漂移区与P型硅区接触，所述P型硅区与槽型场氧接触，所述N‑漂移区、P型硅区接触和槽型场氧分别与埋于整个衬底P型硅层表面的N+漏区接触。
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