[发明专利]一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210298406.3 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102810559A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;魏进;姚尧 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/778;H01L21/285;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法，其场效应晶体管，由下往上依次包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层；外延层、势垒层形成异质结；异质结上的势垒层上设有欧姆接触源电极、栅极、源电极和欧姆接触漏电极。本发明与传统异质结构场效应晶体管相比，通过在表面多设计一个电极实现器件反向导通，工艺简单，成本低廉，与现有异质结构场效应晶体管工艺完全兼容。在功率电路中需要续流的情况下，使用本发明的兼具反向导通功能的异质结构场效应晶体管,可以不用并联反向导通二极管，因此节约大量芯片面积，减小测试与封装的成本，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼具 向导 结构 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管，由下往上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、外延层（3）和势垒层（4）；所述外延层（3）和势垒层（4）形成异质结；所述异质结的势垒层（4）上设有欧姆接触源电极（5）、栅极（6）和欧姆接触漏电极（8）；其特征在于所述异质结的势垒层（4）上还设有源电极（7）。
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