[发明专利]铸造法生产类似单晶大面积晶种制备方法无效
| 申请号： | 201210298407.8 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102808213A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 石坚;孙志刚;刘茂华;韩子强 | 申请（专利权）人： | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人： | 王好勤 |
| 地址： | 456400 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 铸造法生产类似单晶大面积晶种制备方法，涉及晶种制备方法，包括以下步骤：a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔10mm－20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。本发明的有益效果是：通过本方法制备的晶种面积是传统方法1-20倍，从而可有效增大晶种面积，减少晶种及其边缘引起的缺陷。可有效解决类似单晶大量位错而导致产品光电转化效率偏低问题。 | ||
| 搜索关键词： | 铸造 生产 类似 大面积 制备 方法 | ||
【主权项】：
铸造法生产类似单晶大面积晶种制备方法，其特征在于包括以下步骤：a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔10mm－20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。
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