[发明专利]准单晶硅片清洗方法无效
| 申请号： | 201210298418.6 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102806216A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 石开明;孙志刚;刘茂华;韩子强;石坚;吴继贤;章建海 | 申请（专利权）人： | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/08 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人： | 王好勤 |
| 地址： | 456400 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 准单晶硅片清洗方法，涉及太阳能硅片清洗技术领域，清洗机设置7个槽位，1槽处于开状态，2－4槽处于关状态，5－7槽处于开状态；其中，1－6槽使用超声波，超声波的频率为20－30kHz，功率为1800－2500W；在2－4槽加入清洗剂，其余槽使用纯水；纯水溢流每槽的清洗时间为300－720秒。本发明具有以下有益效果：可有效清除切割过程中由于砂浆和钢线及其他接触物对准单晶硅片造成的严重污染，如有机杂质沾污、颗粒沾污、金属离子沾污等，最终满足电池客户端的要求，确保准单晶硅片在量产阶段其硅片表面质量得到有效保证。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 清洗 方法 | ||
【主权项】：
准单晶硅片清洗方法，其特征在于：清洗机设置7个槽位，1槽处于开状态，2－4槽处于关状态，5－7槽处于开状态；其中，1－6槽使用超声波，超声波的频率为20－30kHz，功率为1800－2500W；在2－4槽加入清洗剂，清洗剂是行业通用的硅片清洗剂，其余槽使用纯水；纯水溢流每槽的清洗时间为300－720秒。
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