[发明专利]一种制备沟槽栅控功率器件的方法无效
| 申请号： | 201210298920.7 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103632965A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创 | 申请（专利权）人： | 深圳市力振半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤兴三*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 发明公开了一种制备沟槽栅控功率器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个沟槽；然后，对外延层注入P型掺杂剂和N型掺杂剂，分别形成P型基区和N型源区，接着在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀，在层间介质中形成开孔，之后对外延层表面进行侵蚀形成接触孔沟槽，并对接触孔沟槽进行金属插塞填充；最后，在器件的表面沉积金属层，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线，采用本制备方法，省略了基区掩模和源区掩模的制备工序，使器件的制造成本得到了较大的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 沟槽 功率 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制备沟槽栅控功率器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用沟槽掩模对衬底10上的外延层200上进行侵蚀而形成多个沟槽；(2)然后，对外延层注入P型掺杂剂和N型掺杂剂，分别形成P型基区(201)和N型源区(204)；(3)在外延层表面沉积层间介质401，再利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀，在层间介质中形成开孔，之后对外延层表面进行侵蚀形成接触孔沟槽，并对接触孔沟槽进行金属插塞填充；(4)在器件的上表面沉积金属层404，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成源区金属垫层(405)和栅极连线(406)和终端区场板(407)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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