[发明专利]半导体器件的形成方法、晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210299450.6 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633032A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/335;H01L29/775 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种半导体器件的形成方法、晶体管的形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，绝缘体上半导体衬底包括：基底、基底表面的绝缘层、以及绝缘层表面的半导体层；在半导体衬底表面形成掩膜层并暴露出部分半导体衬底表面；以掩膜层为掩膜，采用第一各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀半导体层，在半导体层内形成第一开口并暴露出绝缘层表面；在形成第一开口后，去除掩膜层；之后采用第二各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀半导体层，在相邻第一开口之间的半导体层内形成第二开口并暴露出绝缘层表面；然后去除部分绝缘层，形成悬空于基底上方的纳米线；再对纳米线进行热退火，使横截面变为圆形。所形成的纳米线尺寸减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括：基底、基底表面的绝缘层、以及绝缘层表面的半导体层；在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分半导体衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，采用第一各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀所述半导体层，在所述半导体层内形成第一开口，所述第一开口暴露出绝缘层表面；在形成第一开口后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层后，采用第二各向异性的湿法刻蚀工艺刻蚀所述半导体层，在相邻第一开口之间的半导体层内形成第二开口，所述第二开口暴露出绝缘层表面；在形成第二开口后，去除部分所述绝缘层，形成悬空于基底上方的纳米线；在去除绝缘层后，对所述纳米线进行热退火，使所述纳米线的横截面变为圆形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
