[发明专利]一种生长GaN基LED的硅图形衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201210300173.6 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102810612A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李述体;易翰祥;王幸福 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种生长GaN基LED的硅图形衬底及其制备方法。硅图形衬底是在硅衬底表面刻蚀有周期性排列的矩形区域图案，每个矩形区域覆盖一层SiO2掩膜，且在SiO2掩膜中心光刻出Si表面。所述制备方法包括蒸镀、光刻、刻蚀等工艺，简单易行，成本较低，制备条件精确，可实现工业化生产。制备LED器件时，镀P型电极前，可用绝缘掩膜遮挡每个矩形区域图案中心刻出Si表面图形区域，因而降低电流在芯片高密度缺陷区域的流通，减少电子的非辐射复合，提高LED性能。另外，该结构中，SiO2阻隔GaN与硅衬底的接触，侧向生长GaN及LED结构，从而减少位错等缺陷，提高GaN和LED外延片质量，提高LED性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 gan led 图形 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种生长GaN基LED的硅图形衬底，其特征在于所述硅图形衬底的硅（111）面衬底上刻蚀有周期性排列的矩形区域，每个矩形区域覆盖一层SiO2掩膜，且在每个矩形区域的该层SiO2掩膜中心光刻有Si表面图形。
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