[发明专利]半导体红外上转换单光子探测设备及方法无效
申请号: | 201210300342.6 | 申请日: | 2012-08-22 |
公开(公告)号: | CN102820365A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 刘惠春;杨耀 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体红外上转换单光子探测设备,包括半导体红外单光子上转换器件和Si单光子雪崩二极管探测器(SPAD),其中,半导体红外上转换器件用于将红外单光子转换为1微米以下的近红外光子或可见光子,SiSPAD用于探测近红外光子或可见光子,半导体红外单光子上转换器件和SiSPAD通过高效率光耦合方式进行耦合:利用光黏胶粘合或通过晶片键合的方式直接集成,其所要解决的技术问题是提出的一种半导体红外单光子上转换探测技术。本发明所提出的方案具备探测效率高、最大计数率较高、暗计数率低、可以连续计数、室温或准室温工作,可显著降低红外单光子探测的技术难度和成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 红外 转换 光子 探测 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体红外上转换单光子探测设备,其特征在于,包括半导体红外单光子上转换器件和Si单光子雪崩二极管探测器SPAD,其中,半导体红外上转换器件用于将红外单光子转换为1微米以下的近红外光子或可见光子,Si SPAD用于探测近红外光子或可见光子,半导体红外单光子上转换器件和Si SPAD通过高效率光耦合方式进行耦合:利用光黏胶粘合或通过晶片键合的方式直接集成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的