[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210301457.7 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103078021B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 元钟学;罗钟浩;尹才仁;洪训技;沈世焕 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。所述发光器件包括第一导电半导体层；包括量子阱和量子势垒并且设置在第一导电半导体层上的有源层；以及在有源层上的第二导电半导体层。有源层包括与第二导电半导体层相邻的第一量子阱、与第一量子阱相邻的第二量子阱、以及在第一量子阱和第二量子阱之间的第一量子势垒。在第二量子阱中的电子‑空穴的复合率高于在第一量子阱中的电子‑空穴的复合率，以及第一量子阱的能级高于第二量子阱的能级。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；包括量子阱和量子势垒并且设置在所述第一导电半导体层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电半导体层，其中所述有源层包括：与所述第二导电半导体层相邻的第一量子阱；与所述第一量子阱相邻的第二量子阱；以及在所述第一量子阱和所述第二量子阱之间的第一量子势垒，其中所述第一量子势垒的能级高于所述第一量子阱的能级；其中所述第一量子阱的能级高于所述第二量子阱的能级，以及其中所述第一量子势垒的载流子传输能力高于其它量子势垒的载流子传输能力。
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