[发明专利]肖特基二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210301607.4 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102789979A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁;唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管及其形成方法，所述肖特基二极管的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底内形成若干沟槽；对所述半导体衬底进行倾斜P型离子注入，在所述靠近半导体衬底表面、沟槽侧壁和底部表面的半导体衬底内形成第一P型掺杂区；将多晶硅材料填充满所述沟槽；在靠近表面的半导体衬底和多晶硅材料内反型形成N型掺杂区；在所述半导体衬底表面和多晶硅材料表面形成肖特基金属层。由于相邻沟槽的两个第一P型掺杂区之间的间距小于相邻沟槽之间的间距，当在肖特基二极管两端施加有反向电压时，所述肖特基二极管中相邻沟槽的两个第一P型掺杂区之间的半导体衬底更容易被耗尽区夹断，从而可以提高肖特基二极管的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的形成方法，其特征在于，包括：提供N型掺杂的半导体衬底，在所述半导体衬底内形成若干沟槽；在所述沟槽侧壁和底部表面形成绝缘层；对所述半导体衬底进行倾斜P型离子注入，在所述靠近半导体衬底表面、沟槽侧壁和底部表面的半导体衬底内形成第一P型掺杂区；在所述绝缘层表面形成多晶硅材料，所述多晶硅材料填充满所述沟槽；对所述半导体衬底表面进行N型离子注入，在靠近表面的半导体衬底和多晶硅材料内形成N型掺杂区，所述N型离子注入的深度大于或等于第一P型离子注入的深度；在所述半导体衬底表面和沟槽内的多晶硅材料表面形成肖特基金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
