[发明专利]树脂-反磁性物质复合结构体、其制造方法、以及使用其的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201210301612.5 申请日: 2012-08-22
公开(公告)号: CN102956578A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 南尾匡纪;氏原大介;和田浩 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/552
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种由导热性及/或导电性优良的物质和树脂构成的树脂-反磁性物质复合结构体,其能够良好地将两者接合,且能够减小树脂构成的层的厚度。通过如下的制造树脂-反磁性物质复合结构体的方法获得由反磁性物质层(12)和树脂层(14)构成的树脂-反磁性物质的复合结构体(10)。在该方法中,通过将反磁性物质(22)的粒子和树脂(24)配置在模具(30)内,并对配置在模具(30)内的反磁性物质(22)施加磁场,在使反磁性物质(22)向从模具(30)的内侧表面的至少一部分离开的方向移动后,在模具(30)内使树脂(24)硬化。
搜索关键词: 树脂 磁性 物质 复合 结构 制造 方法 以及 使用 半导体 装置
【主权项】:
一种树脂‑反磁性物质复合结构体,其包括:反磁性物质层;覆盖所述反磁性物质层的表面的至少一部分的树脂层,所述反磁性物质层为反磁性物质的粒子集合而成的层。
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