[发明专利]功率MOSFET芯片的DFN封装结构

摘要

本发明公开一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构，包括导电基盘、第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，此漏极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；所述软焊料层由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%，锡5%，银2.5%。本发明DFN封装结构有利于进一步缩小器件的体积，同时减少封装体中部件的数目；且提升器件MOSFET芯片散热效率，热阻相比现有技术降低75%。

主权项

一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片上表面（1）设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的漏极引脚（321）组成，此漏极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且与MOSFET芯片（1）下表面之间通过软焊料层（6）电连接；所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8），焊接区（7）与引脚区（8）的连接处具有一折弯部（9），从而使得焊接区（7）高于引脚区（8）；若干根第一金属线（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间，第二金属线（11）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间；所述软焊料层（6）由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%，锡5%，银2.5%。