[发明专利]半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法无效
| 申请号： | 201210302580.0 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632957A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;田蕊;赵施华;廖炳隆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法，包括：在硅衬底填充介质的沟槽中填充钨；淀积钛层；淀积氮化钛层；快速热退火淀积铝铜层；再次淀积钛层；再次淀积氮化钛层。本发明的半导体芯片金属阻挡层的制造方法能避免半导体芯片金属阻挡层中的钛层、氮化钛层与铝铜层产生“起皮”现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 一层 金属 阻挡 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法，包括：（1）在硅衬底填充介质的沟槽中填充钨；（2）淀积钛层；（3）淀积氮化钛层；（4）淀积铝铜层；（5）再次淀积钛层；（6）再次淀积氮化钛层；其特征是：在步骤（3）和（4）之间还具有步骤（A）快速热退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
