[发明专利]谐振式压力传感器及制造其的方法有效
申请号: | 201210302845.7 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN102954852A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 吉田勇作;吉田隆司;铃木广志;吉田周平;寺下久志 | 申请(专利权)人: | 横河电机株式会社 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了谐振式压力传感器及制造其的方法。包括布置在膜片上的一个或多个谐振型应变计的谐振式压力传感器可以包括:传感器衬底,其由硅制成,且包括其上布置有一个或多个谐振型应变计元件的一个表面和被抛光成厚度与膜片相应的另一表面;基底衬底,其由硅制成,且包括与所述传感器衬底的所述另一表面直接接合的一个表面;凹陷部分,其形成在所述基底衬底的与所述传感器衬底接合的部分中,以便基本上在传感器衬底中形成所述膜片,且包括预定间隙,该预定间隙不会由于外来物质而限制膜片的移动范围,并且该预定间隙对由谐振型应变计元件的振动而激发的膜片的振动进行抑制;一个或多个传导孔;以及流体。 | ||
搜索关键词: | 谐振 压力传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种包括布置在膜片上的一个或多个谐振型应变计的谐振式压力传感器,所述谐振式压力传感器包括:传感器衬底,其由硅制成,且包括布置有一个或多个谐振型应变计元件的一个表面和被抛光成具有与所述膜片相应的厚度的另一表面;基底衬底,其由硅制成,且包括与所述传感器衬底的所述另一表面直接接合的一个表面;凹陷部分,其形成在所述基底衬底的与所述传感器衬底接合的部分中、在所述传感器衬底中实质上形成了所述膜片、并且包括预定间隙,所述预定间隙不会由于外来物质而限制所述膜片的移动范围,并且所述预定间隙对由所述谐振型应变计元件的振动而激发的所述膜片的振动进行抑制;一个或多个传导孔,其将测量压力导向所述凹陷部分;以及流体,其通过传导孔将压力传播至所述凹陷部分并对所述膜片的振动进行抑制。
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