[发明专利]基于表面功能化半导体纳米晶的光电器件的制备无效

专利信息
申请号: 201210302989.2 申请日: 2012-08-23
公开(公告)号: CN102790178A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 吕长利;吕晓丹;刘秉鑫;王春宇 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130024 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于化学材料领域,具体涉及半导体纳米晶的表面功能化和在聚合物中的复合及其光电器件的制备方法。本发明利用具有重要光电应用的含氮功能有机小分子及其大分子通过配体交换的方法对高质量的半导体纳米晶的表面进行功能化。本发明提供的功能化半导体纳米晶的方法可集有机光电功能分子和纳米晶的功能特性于一体,为新型功能性半导体纳米晶的构筑提供新途径。通过溶液共混法和原位本体聚合法将功能化的纳米晶与聚合物复合制备纳米杂化材料。根据表面功能化配体的性质,以上制备的新型功能化半导体纳米晶及其聚合物杂化材料可被应用于构筑发光二级管或光伏器件。
搜索关键词: 基于 表面 功能 半导体 纳米 光电 器件 制备
【主权项】:
基于表面功能化半导体纳米晶的光电器件的制备,其特征在于:利用具有重要光电应用的含氮杂环小分子或大分子配体功能化水相或油相方法合成的半导体纳米晶,通过溶液共混法和原位聚合法将功能化的纳米晶与聚合物复合制备纳米杂化材料,这些制备的功能化半导体纳米晶及其聚合物杂化材料可应用于构筑发光二级管或光伏器件。
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