[发明专利]氮化物半导体发光元件和装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210303036.8 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102956770A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 翁宇峰 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置以及氮化物半导体发光元件的制造方法。该氮化物半导体发光装置包括氮化物半导体发光元件、封装基板和透光的树脂密封部分。该氮化物半导体发光元件包括基板、具有发光层的氮化物半导体多层部分以及保护层。氮化物半导体多层部分设置在基板上。保护层设置在氮化物半导体多层部分的上部上。树脂密封部分密封安装在封装基板上的氮化物半导体发光元件。气隙层形成在氮化物半导体发光元件中的基板和发光层之间的区域、氮化物半导体发光元件中的发光层和保护层之间的区域以及封装基板中的区域至少之一中。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，包括：基板；氮化物半导体多层部分，设置在所述基板上；以及保护层，设置在所述氮化物半导体多层部分的上部上，其中所述氮化物半导体多层部分包括发光层，且气隙层形成在所述基板与所述发光层之间的区域以及所述发光层与所述保护层之间的区域的至少之一中。
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