[发明专利]一种晶片的单片清洗方法有效
| 申请号： | 201210303055.0 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103624032A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种晶片的单片清洗方法，该方法包括：用极性气体分子对经过干蚀刻的晶片进行等离子体处理，增高晶片表面的极性，以将晶片的表面由疏水性转变为亲水性；以及对晶片进行湿法清洗。由于使用本发明的晶片的单片清洗方法，晶片能够被液体非常良好地覆盖，且晶片表面上的聚合物转变为短链聚合物，更容易被清除，使得大大增加了湿法清洗过程中的清洗效果，减小了清洗后晶片上的氟残留。本发明的清洗方法不需要在湿法清洗的液体中增加特殊化学制剂就能改变晶片表面的极性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 单片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的单片清洗方法，其特征在于，包括：用极性气体分子对经过干蚀刻的晶片进行等离子体处理，增高所述晶片表面的极性，以将所述晶片的表面由疏水性转变为亲水性；以及对所述晶片进行湿法清洗。
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