[发明专利]具有氧化物薄膜晶体管的平板显示器件及其制造方法有效
申请号: | 201210303214.7 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN102983152A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 蔡志恩;安贞恩;李泰根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示器件及其制造方法,其适合于通过当在薄膜晶体管区中形成蚀刻停止层时在焊盘接触区中的数据线下方形成辅助蚀刻停止层,来防止在形成接触孔时在数据线区中产生针孔故障。 | ||
搜索关键词: | 具有 氧化物 薄膜晶体管 平板 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造具有氧化物薄膜晶体管的平板显示器件的方法,该方法包括:制备限定为像素区和焊盘接触区的基板;在基板的像素区和焊盘接触区中形成栅极和链接线;在提供有栅极的基板上顺序形成栅极绝缘膜和第一透明导电材料膜,和对第一透明导电材料膜执行第一掩模工序,以在像素区内形成像素电极;在提供有像素电极的基板上形成氧化物层,和对氧化物层执行第二掩模工序,以在与栅极相对的栅极绝缘膜上形成沟道层;在提供有沟道层的基板上形成绝缘层,和对绝缘层执行第三掩模工序,以形成设置在沟道层上的蚀刻停止层和设置在将被数据线占据的焊盘接触区上的辅助蚀刻停止层;在于基板上形成蚀刻停止层之后,在基板的整个表面上形成金属膜,和对金属膜执行第四掩模工序,以形成源极和漏极以及数据线,数据线的一端与焊盘接触区内的辅助蚀刻停止层交叠;在提供有源极和漏极的基板上形成钝化层,和执行接触孔的形成工艺,以暴露出链接线和与辅助蚀刻停止层相对的数据线;和在具有接触孔的基板上形成第二透明导电材料膜,和执行第五掩模工序,以形成设置在像素区内的公共电极和设置在焊盘接触区内并连接数据线和链接线的公共电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210303214.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种重组肿瘤疫苗及其生产方法
- 下一篇:环境吸尘箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的