[发明专利]基于黒硅的高性能MEMS热电堆红外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210303746.0 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102829880A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 毛海央;陈媛婧;欧文;明安杰 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于黒硅的高性能MEMS热电红外探测器及其制备方法，其包括衬底；衬底上设有释放阻挡带，释放阻挡带内具有热隔离腔体，热隔离腔体的正上方设有黒硅红外吸收区，黒硅红外吸收区的外侧设有热电堆，黒硅红外吸收区外侧的热电堆相互串接后电连接成一体，相互串接的热电堆上设有用于将探测结果输出的金属电极；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构与衬底相连，热传导体位于热隔离腔体的外侧；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构与黒硅红外吸收区相接触。本发明结构简单易于实现，便于单片集成，响应率及探测率高，与CMOS工艺兼容，适用范围广，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 性能 mems 热电 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于黒硅的高性能MEMS热电对红外探测器，包括衬底（101）；其特征是：所述衬底（101）上设有释放阻挡带（2），所述释放阻挡带（2）内具有热隔离腔体（1403），所述热隔离腔体（1403）的正上方设有黒硅红外吸收区（1），所述黒硅红外吸收区（1）位于释放阻挡带（2）上；黒硅红外吸收区（1）的外侧设有若干热电堆，黒硅红外吸收区（1）外侧的热电堆相互串接后电连接成一体，相互串接的热电堆上设有用于将探测电压输出的金属电极（8）；所述热电堆对应邻近黒硅红外吸收区（1）的一端形成探测热端，热电堆对应远离黒硅红外吸收区（1）的一端形成探测冷端；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构（4）及所述第一热导通电隔离结构（4）下方的热传导体（303）与衬底（101）相连，热传导体（303）位于热隔离腔体（1403）的外侧，并位于释放阻挡带（2）及衬底（101）之间，第一热导通电隔离结构（4）嵌置于释放阻挡带（2）内；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构（3）与黒硅红外吸收区（1）相接触，第二热导通电隔离结构（3）支撑于释放阻挡带（2）上。
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