[发明专利]一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法有效

专利信息
申请号: 201210306093.1 申请日: 2012-08-27
公开(公告)号: CN102969391A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 陈金灯;韩健鹏;吕绍杰;吴敏 申请(专利权)人: 横店集团东磁股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 322118 浙江省金*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法,其目的在于克服现有背面抛光单晶硅电池制备方法存在的工艺复杂、设备要求高、生产成本高的缺陷。本发明主要步骤为抛光-背面掩膜-正面制绒-扩散制PN结-二次酸洗-正面镀氮化硅膜-丝网印刷、烧结。本发明能够在现有的常规设备上运用,工艺简单易行、生产成本低,而且不会对常规设备造成污染。
搜索关键词: 一种 法制 背面 抛光 单晶硅 电池 方法
【主权项】:
一种掩膜法制作背面抛光单晶硅电池的方法,其特征在于:所述的方法步骤如下:(1)抛光:将单晶硅片置于浓度为0.12‑0.16kg/L的NaOH水溶液中抛光1‑10min,然后经过盐酸酸洗,氢氟酸酸洗,水洗,甩干,形成双面抛光的单晶硅片;(2)背面掩膜:在双面抛光的单晶硅片的背面采用PECVD法镀一层氮化硅保护膜,获得具有背面掩膜的抛光硅片;(3)正面制绒:将具有背面掩膜的抛光硅片置于浓度为12‑15g/L的NaOH水溶液中直接制绒12‑18min,然后经过体积浓度为8%‑12%的氢氟酸酸洗1min‑3min减少氮化硅保护膜的厚度,获得背面残留一定厚度氮化硅保护膜的正面制绒的单晶硅片;(4)扩散制PN结:对背面残留一定厚度氮化硅保护膜的正面制绒的单晶硅片的正面进行单面扩散,形成PN结,扩散方阻为70‑80R方;(5)二次酸洗:步骤(4)形成PN结的单晶硅片直接进入体积浓度为6%‑8%氢氟酸酸洗4min‑5min;(6)正面镀氮化硅膜:采用PECVD法在步骤(5)酸洗后的单晶硅片正面镀一层氮化硅减反膜;(7)丝网印刷、烧结:在步骤(6)处理完的单晶硅片的正面、背面通过丝网印刷制电极,经过烧结形成背面抛光单晶硅电池。
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