[发明专利]缓冲型finFET器件有效
| 申请号： | 201210306226.5 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102956692A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | I·拉希姆;J·T·瓦特;徐彦忠;刘令时 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个实施例涉及一种缓冲型finFET器件。该器件包括形成于半导体衬底中的缓冲型竖直鳍形结构。竖直鳍形结构至少包括上半导体层、缓冲区域和阱区域的至少部分。缓冲区域具有第一掺杂极性，并且阱区域具有与第一掺杂极性相反的第二掺杂极性。至少一个p-n结形成于缓冲与阱区域之间，该p-n结至少部分地覆盖竖直鳍形结构的水平横截面。也公开了其它实施例、方面和特征。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 finfet 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：半导体衬底；缓冲型竖直鳍形结构，形成于所述半导体衬底中，所述竖直鳍形结构包括：上半导体层，包括在漏极区域与源极区域之间的沟道区域，缓冲区域，在所述上半导体层之下，所述缓冲区域具有第一掺杂极性，阱区域的至少部分，具有与所述第一掺杂极性相反的第二掺杂极性，以及至少一个p‑n结，在所述缓冲区域与所述阱区域之间，至少部分地覆盖所述竖直鳍形结构的水平横截面；以及栅极堆叠，形成于所述上半导体层的所述沟道区域之上。
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