[发明专利]非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱热敏材料有效
| 申请号： | 201210306642.5 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103630247A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 董涛;王开鹰;姜波;何勇;杨朝初;苏岩 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;C30B25/16 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明公开了一种非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱结构并具有较高温度电阻系数的热敏材料。材料包括底部接触层、底部隔离层、硅锗/硅多量子阱结构、顶部隔离层和顶部接触层。当隔离层厚度为35~100nm，硼粒子由接触层自扩散至硅锗/硅多量子阱结构中，并形成载流子。该种设计简化了工艺过程，有利于制备晶格质量较高的硅锗/硅多量子阱结构。另外，本发明公开了该种材料所应用的一种非制冷红外探测阵列的像元结构。双支撑层的厚度均为200nm~250nm，在满足光学条件的情况下使得像元结构更为稳定。本发明还公开了该种材料的一种基于低压化学气相沉积技术的外延生长工艺过程。 | ||
| 搜索关键词： | 制冷 红外 探测 阵列 掺杂 多量 热敏 材料 | ||
【主权项】：
一种非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱热敏材料，其特征在于：在SOI晶元[260]上依次外延生长底部接触层[250]、底部隔离层[240]、硅锗/硅多量子阱结构[230]、顶部隔离层[220]和顶部接触层[210]，在工作过程中，由自扩散至硅锗/硅多量子阱结构[230]中的硼粒子提供空穴作为载流子。
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