[发明专利]具有铜锌锡硫吸收层的太阳能装置及其制造方法无效
申请号: | 201210306765.9 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103022176A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 | 申请(专利权)人: | 旺能光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有铜锌锡硫吸收层的太阳能电池及其形成方法。此太阳能电池包含一基板、一下电极层、一吸收层、一缓冲层及一上电极层,该吸收层包含一第一区域及一第二区域,且第一区域邻近下电极层而第二区域邻近第一区域。第一区域及第二区域皆包含化学式为Cua(Zn1-bSnb)(Se1-cSc)2的成分,其中0 | ||
搜索关键词: | 具有 铜锌锡硫 吸收 太阳能 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有铜锌锡硫吸收层的太阳能电池,其特征在于,包含:一基板;一下电极层;一吸收层,形成于所述下电极层上;一缓冲层,形成于所述吸收层上;以及一上电极层,形成于所述缓冲层上;其中,所述吸收层包含一第一区域及一第二区域,所述第一区域邻近所述下电极层,而所述第二区域邻近所述第一区域,且所述第一区域及所述第二区域皆包含化学式为Cua(Zn1‑bSnb)(Se1‑cSc)2的成分,其中0
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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