[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。

主权项

一种半导体器件，包括：第一芯片装配部分；第一导体引线部分；第一半导体芯片，具有第一主表面以及与所述第一主表面相对并且键合到所述第一芯片装配部分的第一背表面；以及密封部分，在所述密封部分中密封所述第一半导体芯片以及所述第一芯片装配部分和所述第一导体引线部分中的每个部分的至少部分，其中所述第一半导体芯片形成有第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第二MOSFET具有它们的相互电耦合的相应漏极和它们的相互电耦合的相应栅极，其中所述第一MOSFET形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第一区域中，以及所述第二MOSFET被配置用于检测所述第一MOSFET中流动的电流并且在所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第二区域中形成，其中所述第二区域具有比所述第一区域的面积更小的面积，其中电耦合到所述第一MOSFET和第二MOSFET的所述栅极的第一栅极焊盘、电耦合到所述第一MOSFET的源极的第一源极焊盘和第二源极焊盘以及电耦合到所述第二MOSFET的源极的第三源极焊盘形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面之上，其中电耦合到所述第一MOSFET和第二MOSFET的所述漏极的漏极电极形成于所述第一半导体芯片的所述第一背表面之上，其中所述第一源极焊盘和所述第二源极焊盘经由第一导体板电耦合到所述第一导体引线部分，其中所述第一半导体芯片的所述第一源极焊盘和所述第二源极焊盘被构造用于输出所述第一MOSFET中流动的电流，以及所述第三源极焊盘被构造用于感测所述第一MOSFET的源极电压，其中第一源极接线在所述第一源极焊盘和所述第二源极焊盘之上形成，以及第二源极接线在所述第三源极焊盘之上形成，其中所述第二源极接线具有经由耦合部分耦合到所述第一源极接线的一端，并且其中在平面图中，所述第三源极焊盘被布置为使其不与所述第一导体板重叠，并且所述第二源极接线与所述第一源极接线的所述耦合部分被布置为使其与所述第一导体板重叠，使得所述第一导体板与所述第一源极焊盘和所述第二源极焊盘之间的电阻是独立于所述第一导体板相对于所述第一源极焊盘和所述第二源极焊盘的键合移置的恒定值。