[发明专利]大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法无效
| 申请号： | 201210308393.3 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103091278A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 潘国峰;刘玉岭;檀柏梅;王娟;何彦刚;张培硕 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | G01N21/35 | 分类号： | G01N21/35 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 仝林叶 |
| 地址： | 300130 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法。本发明使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300mm大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行红外扫描，得到镜反射红外光谱图，与表面洁净的硅单晶片红外反射图谱进行对比，根据图谱峰出现的位置，在波数为3400cm-1-2800cm-1和1700cm-1-1460cm-1位置处出现强吸收，表明硅单晶片表面含有抛光液残留。本发明方法在整个检测过程中不需要对样品进行任何处理，对样品不会造成任何损坏，是一种先进的无损检测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 晶片 表面 有机物 沾污 红外 反射 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法，其特征是：使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300mm大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行红外扫描，得到镜反射红外光谱图，与表面洁净的硅单晶片红外反射图谱进行对比，根据图谱峰出现的位置，在波数为3400cm‑1‑2800cm‑1和1700cm‑1‑1460cm‑1位置处出现强吸收，表明硅单晶片表面含有抛光液残留。
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