[发明专利]硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210308854.7 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102820391A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 许兴胜;李成果 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基上的近红外量子点电致发光的器件，包括：一衬底；一氧化层制作在衬底上，该氧化层为二氧化硅薄膜，其通过分担电压，平衡电子和空穴的注入；一发光层制作在氧化层上，该发光层为近红外发光的胶体量子点；一电子传输层制作在发光层上，该电子传输层可以传输电子，提高电子载流子注入效率；一金属电极制作在电子传输层上，该金属电极用于向发光层注入电子；其中所述衬底、氧化层、发光层、电子传输层和金属电极为平板波导结构或为脊形波导结构，所述脊形波导结构的衬底为凸字形，中间有一凸台，所述氧化层、发光层、电子传输层和金属电极均制作在衬底的凸台上。本发明具有发光频率可调谐，且材料容易获得，制作成本低廉和工艺简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基上 红外 量子 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基上的近红外量子点电致发光的器件，包括：一衬底；一氧化层，该氧化层制作在衬底上，该氧化层为二氧化硅薄膜，其通过分担电压，平衡电子和空穴的注入；一发光层，该发光层制作在氧化层上，该发光层为近红外发光的胶体量子点；一电子传输层，该电子传输层制作在发光层上，该电子传输层可以传输电子，提高电子载流子注入效率；一金属电极，该金属电极制作在电子传输层上，该金属电极用于向发光层注入电子；其中所述衬底、氧化层、发光层、电子传输层和金属电极为平板波导结构或为脊形波导结构，所述脊形波导结构的衬底为凸字形，中间有一凸台，所述氧化层、发光层、电子传输层和金属电极均制作在衬底的凸台上。
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