[发明专利]一种二氧化钛薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210309113.0 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102828158A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 任峰;刘艺超;周小东;蔡光旭;吴伟;肖湘衡;蒋昌忠 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化钛薄膜的制备方法。利用离子注入技术，将能量为20-200kV钛离子注入到高纯的石英玻璃或蓝宝石等材料中，然后在氧气氛围中退火。通过调控注入离子剂量和退火温度来制备二氧化钛薄膜。注入的剂量范围为1-4×1017ions/cm2，退火温度为600-1000℃。制备的二氧化钛薄膜有良好的致密性且与衬底附着力强，同时薄膜具有良好的光催化性和抗菌性。该方法制备的二氧化钛薄膜可用作自清洁抗菌薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于：通过将钛离子注入后进行热处理的方法在材料表面形成TiO2薄膜，具体包括如下步骤：1)将能量为20到200 kV的Ti+注入到衬底中，使其在衬底中形成Ti纳米颗粒，Ti离子的注入剂量应不小于1×1017 ions/cm2； 2) 将注入Ti+后的衬底升温至600～1000ºC，并在氧气气氛中保温退火2小时以上，退火完后自然降温。
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