[发明专利]MOCVD设备和MOCVD加热方法有效

专利信息
申请号: 201210310166.4 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN103628040A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 张慧 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/46;C30B25/10;C30B25/02
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种MOCVD设备和一种MOCVD加热方法。该MOCVD设备包括:反应腔室、感应线圈和托盘,所述感应线圈位于所述反应腔室的外部,所述托盘位于所述反应腔室的内部;其中,所述感应线圈,用于产生磁场并通过所述磁场对所述托盘进行加热;所述托盘,用于摆放衬底并且与所述磁场之间产生相对运动,以使所述衬底交替通过所述磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。本发明实施例中,由于托盘上的衬底交替通过磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域,从而使得托盘上不同区域的加热温度更加均匀,提高了衬底上温度的均匀性,因此改善了外延片的质量,并且能够实现大尺寸外延片的加工。
搜索关键词: mocvd 设备 加热 方法
【主权项】:
一种MOCVD设备,所述MOCVD设备包括:反应腔室、感应线圈和托盘,所述感应线圈位于所述反应腔室的外部,所述托盘位于所述反应腔室的内部;其特征在于,其中所述感应线圈,用于产生磁场并通过所述磁场对所述托盘进行加热;所述托盘,用于摆放衬底并且与所述磁场之间产生相对运动,以使所述衬底交替通过所述磁场中的磁力线稀疏区域和磁力线密集区域。
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