[发明专利]一种钴修饰氮化钽的可见光响应型光催化材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210310172.X | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102784659A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 丛燕青;李哲;张轶;王齐 | 申请（专利权）人： | 浙江工商大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钴修饰氮化钽的可见光响应型光催化材料及其制备方法，制备方法包括：将纯钽箔洗净，作为基底；将含Ta5+的前驱体溶液A滴至所述基底上，室温下风干，得负载Ta5+的钽箔；再将含金属钴离子的前驱体溶液B滴至所述负载Ta5+的钽箔上，室温下风干，得负载Ta5+和金属钴离子的钽箔；将负载Ta5+和金属钴离子的钽箔在流动的无水氨气气氛中恒温煅烧，得所述光催化材料。由本发明方法制备的光催化材料有效提高了Ta3N5的稳定性，抑制其自身氧化作用，并能促进电子转移，抑制光生电子空穴对复合，提高光解效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修饰 氮化 可见光 响应 光催化 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钴修饰氮化钽的可见光响应型光催化材料的制备方法，其特征在于，包括：将纯钽箔洗净，作为基底；将含Ta5+的前驱体溶液A滴至所述基底上，室温下风干，得负载Ta5+的钽箔；再将含金属钴离子的前驱体溶液B滴至所述负载Ta5+的钽箔上，室温下风干，得负载Ta5+和金属钴离子的钽箔；将负载Ta5+和金属钴离子的钽箔在流动的无水氨气气氛中恒温煅烧，得所述光催化材料。
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