[发明专利]用于光刻设备的水平传感器布置、光刻设备及器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201210311034.3 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN102967998A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: S·G·J·玛蒂吉森;A·J·登博夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了用于光刻设备的水平传感器布置、光刻设备以及器件制造方法。进一步地,本发明公开了一种测量光刻设备中的衬底上的至少一个大体反射性层表面的位置的方法以及相关的水平传感器和光刻设备。所述方法包括使用宽带光源执行至少两次干涉测量。在每一次测量之间,改变宽带源束的构成波长和/或在构成波长上的强度水平,使得在仅强度水平变化的情况下,对于束的构成波长的至少一部分所述强度变化不同。替换地,也可以应用单次测量和测量的随后的用以获得测量数据的处理(其中构成波长和/或在构成波长上的强度水平不同)以获得位置。
搜索关键词: 用于 光刻 设备 水平 传感器 布置 器件 制造 方法
【主权项】:
一种测量光刻设备中的衬底上的至少一个大体反射性层表面的位置的方法,所述方法包括执行下列步骤至少两次:a)提供宽带源辐射束,b)通过分别将宽带源束的一部分反射离开部分透明光学元件并且使宽带源束的一部分通过部分透明光学元件,而将宽带源束分成参照束和测量束;c)使测量束反射离开衬底以获得反射的测量束,并且使参照束反射离开反射表面以获得反射的参照束;d)结合反射的测量束和反射的参照束;和e)检测结合束的至少两个不同的干涉图案;其中不同的干涉图案是基于具有不同构成波长和/或在构成波长上具有不同的强度水平的结合束,使得在仅强度水平变化的情况下,对于束的构成波长的至少一部分所述强度变化不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210311034.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top