[发明专利]硅基近红外光电探测器结构及其制作方法

摘要

一种硅基近红外光电探测器结构，包括：一n型硅衬底，其上面向下开有两层台阶状的圆槽；一磷背场制作在n型硅衬底的下面；一硫系元素掺杂层制作在该n型硅衬底上面的最下层的圆槽内；一p型硼掺杂层制作在该n型硅衬底上面的上层圆槽内；一迎光面掩蔽层制作在n型硅衬底上面圆槽的周围，并覆盖p型硼掺杂层的周边部分，中间形成圆孔，该圆孔的周边开有一环形凹槽，该环形凹槽的外径小于n型硅衬底上面上层圆槽的直径；一增透膜层制作在迎光面掩蔽层中间的圆孔内；一正面接触电极制作在迎光面掩蔽层上的环形凹槽内；一背面接触电极制作在磷背场的下面。本发明可以解决传统硅光电探测器对波长大于1100nm的近红外光响应弱的难题，其是实现硅基光电探测器的高灵敏度近红外光电探测。

主权项

一种硅基近红外光电探测器结构，包括：一n型硅衬底，该n型硅衬底的上面向下开有两层台阶状的圆槽；一磷背场，该磷背场制作在n型硅衬底的下面；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层制作在该n型硅衬底上面的最下层的圆槽内；一p型硼掺杂层，该p型硼掺杂层制作在该n型硅衬底上面的上层圆槽内；一迎光面掩蔽层，该迎光面掩蔽层制作在n型硅衬底上面圆槽的周围，并覆盖p型硼掺杂层的周边部分，中间形成圆孔，该圆孔的周边开有一环形凹槽，该环形凹槽的外径小于n型硅衬底上面上层圆槽的直径；一增透膜层，该增透膜层制作在迎光面掩蔽层中间的圆孔内；一正面接触电极，该正面接触电极制作在迎光面掩蔽层上的环形凹槽内；一背面接触电极，该背面接触电极制作在磷背场的下面。