[发明专利]多层复合膜中悬空台阶的消除方法有效
| 申请号： | 201210311915.5 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103632952A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 宋矿宝 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高为;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明提出了一种多层复合膜中低压氮化硅层的悬空台阶的消除方法，包括：使用四氟化碳气体作为腐蚀气体在电场中分解与复合从而生成激发态氟基，以及通过使激发态氟基与所述低压氮化硅层反应生成气态的四氟化硅和氮气来腐蚀所述低压氮化硅层的悬空台阶。通过使用本发明，可以有效并且可靠地消除高反压用多层复合膜腐蚀形成的悬空台阶，而且腐蚀后的图形完好，可以大幅度提升产品的成品率，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 复合 悬空 台阶 消除 方法 | ||
【主权项】：
一种多层复合膜中低压氮化硅层的悬空台阶的消除方法，包括：使用四氟化碳气体作为腐蚀气体在电场中分解与复合从而生成激发态氟基，以及通过使激发态氟基与所述低压氮化硅层反应生成气态的四氟化硅和氮气来腐蚀所述低压氮化硅层的悬空台阶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
