[发明专利]高非晶形成能力的钴基块体非晶软磁合金及其制备方法无效
申请号: | 201210312177.6 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN102915820A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 沈宝龙;董亚强;满其奎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01F1/153 | 分类号: | H01F1/153;C22C45/00;C22C45/04 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种高非晶形成能力的钴基块体非晶软磁合金及其制备方法,该非晶软磁合金的分子式为CoaFebNicBdSieNb5,式中a、b、c、d、e为原子百分比,其中25≤a≤60,10≤b≤28,2≤c≤10,d>0,e>0,14≤d+e≤39,并且a+b+c+d+e+5=100。与现有技术相比,本发明合金材料的优点在于:具有大的非晶形成能力以及优异的软磁性能和力学性能,其过冷液相区大于40K,约化玻璃转变温度达到0.5~0.7,矫顽力达到1.5A/m以下,断裂强度大于4200MPa,因其大的非晶形成能力能够制得直径在1mm~7mm的非晶棒材,可广泛应用于变压器及磁性传感器等领域中,具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 晶形 能力 块体 非晶软磁 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高非晶形成能力的钴基块体非晶软磁合金,其特征是:其分子式为CoaFebNicBdSieNb5,式中a、b、c、d、e为原子百分比,25≤a≤60,10≤b≤28,2≤c≤10,d>0,e>0,14≤d+e≤39,并且a+b+c+d+e+5=100。
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