[发明专利]半导体电感器结构以及半导体电路装置有效
| 申请号： | 201210313065.2 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102800648A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体电感器结构以及半导体电路装置。根据本发明的半导体电感器结构包括：第一金属叠层以及第二金属叠层；其中，所述第一金属叠层和所述第二金属叠层通过一个或多个通孔连接；所述通孔中填充有金属；所述第一金属叠层和所述第二金属叠层具有不同的叠层结构；其中，所述第一金属叠层由自上而下依次层叠的第三上叠层金属层、第四上叠层金属层、以及第五上叠层金属层组成；并且其中，所述第二金属叠层包括：自上而下依次层叠的第一下叠层金属层、第二下叠层金属层、第三下叠层金属层、第四下叠层金属层、以及第五下叠层金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电感器 结构 以及 电路 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体电感器结构，其特征在于包括：第一金属层以及第二金属层；其中所述第一金属层以及所述第二金属层通过一个或多个通孔连接；所述通孔中填充有金属。
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