[发明专利]存储装置、半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210313377.3 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103094220A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 种泰雄;井本孝志;川户雅敏;宫下浩一;安藤善康;谷本亮 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及存储装置、半导体装置及其制造方法。提供制造成本低廉的存储装置、半导体装置及其制造方法。半导体装置具有搭载于基板上、通过接合线与基板连接的第1芯片和叠层于第1芯片上地搭载于基板上、比前述第1芯片大的第2芯片。在第2芯片的与第1芯片的粘接面的与形成有接合线的部分相对应的部分涂敷绝缘层，在第2芯片的粘接面形成粘接层，并使基板与第2芯片相贴合。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有搭载于基板上、通过接合线与前述基板连接的第1芯片和叠层于前述第1芯片上地搭载于前述基板上、比前述第1芯片大的第2芯片，该半导体装置的制造方法的特征在于包括以下工序：在前述第2芯片的与前述第1芯片的粘接面的与形成有前述接合线的部分相对应的部分采用喷墨法涂敷绝缘层；在前述绝缘层的涂敷后进行第1加热处理；在前述第2芯片的前述粘接面形成粘接层；在前述粘接层的形成后进行第2加热处理；使前述基板与前述第2芯片相贴合；在使前述第2芯片贴合之后进行第3加热处理。
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