[发明专利]全硅化物金属栅的形成方法有效
| 申请号： | 201210313464.9 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103632946A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种全硅化物金属栅的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，第一区域表面具有第一栅电极，所述第二区域表面具有第二栅电极，所述衬底表面还具有与第一栅电极顶面和第二栅电极顶面齐平的介质层；刻蚀第一区域的介质层，暴露出第一栅电极的部分侧壁；沉积金属层，所述金属层覆盖第一栅电极的顶面和侧壁、第二栅电极的顶面以及介质层表面；退火处理第一栅电极和第二栅电极，分别形成第一全硅化物金属栅和第二全硅化物金属栅，所述第一全硅化物金属栅的金属含量和第二全硅化物金属栅中金属含量不同。所述全硅化物金属栅的形成方法能够在衬底上一次形成多个具有不同功函数的全硅化物金属栅，工艺步骤简单。 | ||
| 搜索关键词： | 全硅化物 金属 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种全硅化物金属栅的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，第一区域表面具有第一栅电极，所述第二区域表面具有第二栅电极，所述衬底表面还具有与第一栅电极顶面和第二栅电极顶面齐平的介质层；刻蚀第一区域的介质层，暴露出第一栅电极的部分侧壁；在衬底表面沉积金属层，所述金属层覆盖第一栅电极的顶面和侧壁、第二栅电极的顶面以及介质层表面；退火处理第一栅电极和第二栅电极，分别形成第一全硅化物金属栅和第二全硅化物金属栅，所述第一全硅化物金属栅的金属含量和第二全硅化物金属栅中金属含量不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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