[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210313483.1 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103633017A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈枫;周梅生;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，在半导体衬底内形成停止层；形成停止层后，在所述半导体衬底的第一表面形成器件层；在所述器件层和半导体衬底内形成导电插塞，所述导电插塞与所述停止层接触；形成导电插塞之后，化学机械抛光所述半导体衬底的第二表面，直至暴露出停止层为止，所述第二表面与所述第一表面相对；去除所述停止层和部分半导体衬底，使所述导电插塞突出于半导体衬底的第二表面；去除所述停止层和部分半导体衬底之后，在所述半导体衬底第二表面形成钝化层，所述钝化层表面与所述导电插塞顶部齐平。所形成的半导体器件的尺寸可控，且性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，在半导体衬底内形成停止层；形成停止层后，在所述半导体衬底的第一表面形成器件层；形成贯穿所述器件层的导电插塞，所述导电插塞自半导体衬底的第一表面插入所述半导体衬底内，且所述导电插塞的底部与所述停止层接触；形成导电插塞之后，化学机械抛光所述半导体衬底的第二表面，直至暴露出停止层为止，所述第二表面与所述第一表面相对；去除所述停止层和部分半导体衬底，使所述导电插塞突出于半导体衬底的第二表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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