[发明专利]光学邻近校正模型的校正方法有效
| 申请号： | 201210313494.X | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103631085A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王辉;时雪龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种光学邻近校正模型的校正方法，包括：提供多个具有图形的半导体衬底，所述多个具有图形的半导体衬底分别在不同光刻条件下获得；分别对所述多个具有图形的半导体衬底中的图形进行采样，获得多组采样数据，同一具有图形的半导体衬底的采样数据为一组；提供待校正的光学邻近校正模型；利用每一组采样数据分别对所述待校正的光学邻近校正模型进行校正，获得多个校正的光学邻近校正模型，一种光刻条件对应一个校正的光学邻近校正模型。解决现有技术中在某些光刻条件下获得的光刻胶图形并不理想，仍有光学邻近效应产生的图形粘连现象。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 邻近 校正 模型 方法 | ||
【主权项】：
一种光学邻近校正模型的校正方法，其特征在于，包括：提供多个具有图形的半导体衬底，所述多个具有图形的半导体衬底分别在不同光刻条件下获得；分别对所述多个具有图形的半导体衬底中的图形进行采样，获得多组采样数据，同一具有图形的半导体衬底的采样数据为一组；提供待校正的光学邻近校正模型；利用每一组采样数据分别对所述待校正的光学邻近校正模型进行校正，获得多个校正的光学邻近校正模型，一种光刻条件对应一个校正的光学邻近校正模型。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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