[发明专利]低阻衬底上的多表面集成器件有效
申请号: | 201210313791.4 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN102832210A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 王若楠;刘燕;何松;王婷婷 | 申请(专利权)人: | 香港应用科技研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01L25/16;H01L23/14 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本发明涉及其部分置于多个衬底表面上的器件。该器件包括一低阻衬底,其有第一和第二表面,第一导电器件部件置于第一表面上。中间隔电层置于导电部件和低阻衬底之间。第二导电部件置于低阻衬底的第二表面上。在低阻衬底上形成的一个空腔被至少部分地填入一高阻材料。在高阻材料内形成一个或多个导电路线,电连接第一导电部件和第二导电部件,以形成一个器件。示例性的器件包括电感器、电容器、天线、和有源或无源器件。使用该器件可以形成垂直集成的器件系统。 | ||
搜索关键词: | 衬底 表面 集成 器件 | ||
【主权项】:
一种器件,其至少一个部件位于多个衬底表面中的一个表面上,该器件包括:第一衬底,其电阻值在大约0.1欧姆‑厘米到10欧姆‑厘米,其有至少第一和第二表面;第一导电部件,其置于所述第一衬底的第一表面上,其与所述第一表面之间可以有中间隔电层,也可以没有;第二导电部件,其置于所述第一衬底的第二表面上,;一空腔,其形成在所述第一衬底上;第二材料,其电阻值要高于所述第一衬底的电阻值,其被至少部分地填入所述第一衬底的空腔内;一个或多个导电线路,其形成在所述第二材料内,其电连接所述第一导电部件和所述第二导电部件以形成一器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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