[发明专利]一种GaN基LED中N电极的制作方法无效
| 申请号： | 201210315105.7 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102832302A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李璟;詹腾;张溢;冯亚萍 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种GaN基LED中N电极的制作方法，涉及发光二极管制造过程中N电极的制作方法。在进行感应耦合等离子体台面刻蚀时，只去除GaN外延片一侧横向的部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层，保留了横向的一部分P-GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N-GaN层，保留的这部分称为N台面，然后以N电极金属CrPtAu蒸镀上述N台面上、N台面一侧的侧壁以及N-GaN层。本发明工艺简单，无需增加新的工艺步骤，稳定可靠，方便打线，能够有效提高GaN基LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED中N电极的制作方法，采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N‑GaN层、多量子阱发光层和P‑GaN层，形成GaN外延片，然后GaN进行感应耦合等离子体台面刻蚀；在GaN外延片的上表面使用电子束蒸发的方法蒸镀ITO薄膜；最后在P‑GaN层、ITO层和P台面外选用负型光刻胶L‑300光刻出P电极和N电极；其特征在于进行所述刻蚀时，只去除GaN外延片一侧横向的部分P‑GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N‑GaN层，保留了横向的一部分P‑GaN层、多量子阱发光层以及纵向的部分N‑GaN层，保留的这部分称为N台面，然后以N电极金属CrPtAu蒸镀上述N台面上、N台面一侧的侧壁以及N‑GaN层。
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